100多年前，當(dāng)美國物理學(xué)家Robert Millikan首次通過實驗測出電子所帶的電荷為1.602E-19C后，這一電荷值變被廣泛看作為電荷基本單元。然而如果按照經(jīng)典理論，將電子看作“整體”或者“基本”粒子，將使我們對電子在某些物理情境下的行為感到極端困惑，比如當(dāng)電子被置入強磁場后出現(xiàn)的非整量子霍爾效應(yīng)。為了解決這一難題，1980年，美國物理學(xué)家Robert Laughlin提出一個新的理論解決這一迷團，該理論同時也十分簡潔地詮釋了電子之間復(fù)雜的相互作用。然而接受這一理論確是要讓物理學(xué)界付出“代價”的：由該理論衍生出的奇異推論展示，電流實際上是由1/3電子電荷組成的。
在一項新的實驗中，Weizmann機構(gòu)的科學(xué)家設(shè)計出精妙的方法去檢驗這一非整電子電荷是否存在。該實驗將能很好地檢測出所謂的“撞擊背景噪聲”，這是分?jǐn)?shù)電荷存在的直接證據(jù)。科學(xué)家將一個有電流通過的半導(dǎo)體浸入高強磁場，非整量子霍爾效應(yīng)隨之被檢測出來，他們又使用一系列精密的儀器排除外界噪聲的干擾，該噪聲再被放大并分析，結(jié)果證實了所謂的“撞擊背景噪聲”的確來源于電子，因而也證實了電流的確是由1/3電子電荷組成。由此他們得出電子并非自然界基本的粒子，而是更“基本”更“簡單”且無法再被分割的亞原子粒子組成。
變?nèi)荻䴓O管 又稱"可變電抗二極管"。是一種利用pn結(jié)電容（勢壘電容）與其反向偏置電壓Vr的依賴關(guān)系及原理制成的二極管。所用材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大，則結(jié)電容愈小。變?nèi)荻䴓O管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。主要參量是：零偏結(jié)電容。零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標(biāo)稱電容、電容變化范圍（以皮法為單位）以及截止頻率等，對于不同用途，應(yīng)選用不同C和Vr特性的變?nèi)輒極管，如有專用于諧振電路調(diào)諧的電調(diào)變?nèi)荻䴓O管、適用于參放的參放變?nèi)荻䴓O管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變?nèi)荻䴓O管等。
用于自動頻率控制（AFC）和調(diào)諧用的小功率二極管稱變?nèi)荻䴓O管。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結(jié)的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動頻率控制、掃描振蕩、調(diào)頻和調(diào)諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結(jié)合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結(jié)電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉(zhuǎn)換和調(diào)諧電路，多以硅材料制作。
變頻器，軟啟動器，PLC等在電力領(lǐng)域占據(jù)一定的市場主導(dǎo)。微電子技術(shù)是隨著集成電路，尤其是超大型規(guī)模集成電路而發(fā)展起來的一門新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動測試以及封裝、組裝等一系列專門的技術(shù)，微電子技術(shù)是微電子學(xué)中的各項工藝技術(shù)的總和。微電子技術(shù)是在電子電路和系統(tǒng)的超小型化和微型化過程中逐漸形成和發(fā)展起來的。
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